單晶硅CTE的精確測量和控制，對于確保器件性能和穩定性至關重要。在半導體器件制造過程中，單晶硅作為襯底材料，CTE值需與晶體薄膜的CTE值相匹配，以避免晶體薄膜在溫度變化時出現應力變形，從而影響器件性能。在MEMS器件中，單晶硅通常作為結構材料，其CTE值對于器件的尺寸穩定性和性能穩定性同樣具有重要影響。

新拓三維XTDIC-MICRO顯微應變測量系統，可搭配光學冷熱臺（-190℃—600℃），用于微觀尺度的材料力學測試，及芯片半導體材料和器件的熱膨脹系數、翹曲和位移、應變等參數的測試分析，具有精度高、體積小等優點。

XTDIC-MICRO顯微應變測量系統技術參數：

• 測量維度：二維、三維

• 測量視野：1mm~10mm

• 測量精度：精度最高可達20με，范圍（0.005%—500%）

• 溫度箱加熱裝置：-190℃—600℃

• 微小尺寸力學測試：試驗機（5000N）

顯微DIC技術用于膨脹參數CTE測定

單晶硅的CTE值可能會隨著溫度的變化而發生變化。因此，在實際應用中，需要根據具體的工作溫度范圍來選擇合適的單晶硅材料，并對其進行相應的CTE測試和控制。

為了測定單晶硅CTE值，采用XTDIC-MICRO顯微應變測量系統，與數控溫度控制的光學冷熱系統相結合，實現單晶硅高溫環境下的非接觸式膨脹參數測量。

測試目的

采用顯微DIC應變測量系統，在不同溫度環境下評估單晶硅CTE系數，并記錄測試過程以及測試結果，相關的試驗數據可用于驗證解析模型的正確性。

單晶硅試樣表面制作散斑

顯微DIC測量精確度測試驗證

實驗開始前，使用晶體硅試樣，對顯微DIC測量系統設備準確度分析，已知單晶硅CTE值為：2.62×10^(－6)／℃（引自《集成電路入門》，P．13），以此進行DIC顯微測量準確度確認。

新拓三維顯微DIC測量系統測得數據精度較高，初始狀態對比數據：

X 向平均分布：2.75E-06~2.94E-06

Y 向平均分布：2.65E-06~2.88E-06

單晶硅 CTE實驗過程

（1） 試驗前，先將單晶硅測試樣品進行單次熱處理，以消除產品試樣內應力影響。

熱處理條件：分別在光學冷熱系統將單晶硅試樣溫度降至20°C（液氮降溫），然后提升至50°C、75℃、100℃、125℃，中間保持2-5min，溫度保持完成后，DIC顯微測量系統分別以1Hz采集速率采集10張圖片。

X，Y分別9條等距；邊緣留100um，方向：圓形Mark點向右，計算并記錄X，

Y 方向不同位置的CTE，（溫度達到 125℃，穩定2min，取10數據點的平均值）；

采用DIC軟件分析采集的圖像，可獲取X、Y方向不同位置的CTE。熱脹系數CTE，通常采用線性膨脹系數衡量，定義為：單位溫度改變下長度的增加量與原長度的比值，如Z-CTEZ+。CTE值越低，尺寸穩定性越好，反之越差。

DIC軟件CTE分析：X向數據分析

數據分析分為兩種計算方案，一種為與前狀態數據進行對比，分析CTE。一種是各狀態與初始狀態進行對比，分析CTE。

X 方向（橫向）

與上一狀態對比分析CTE

75℃~100℃： 3.12E-06

與初始狀態對比分析CTE

20℃~50℃： 2.75E-06

50℃~75℃： 2.76E-06

Y向數據分析

數據分析分為兩種計算方案，一種為與前狀態數據進行對比，分析 CTE。一種是各狀態與初始狀態進行對比，分析 CTE。

Y 方向（橫向）

與上一狀態對比分析CTE

75℃~100℃： 3.04E-06

與初始狀態對比分析CTE

顯微DIC測量系統實測軟件界面：

變量與溫度/應變的關系圖：

說明：此段由于中間刪除 10 張照片導致缺失部分照片，從而坡度較大

單晶硅試樣在25°，50°，100°，125℃溫度下的應變分布圖

單晶硅的熱膨脹系數是一個非常重要的參數，其大小余晶體的結構密切相關。在生產制造和科研應用中，需充分了解單晶硅的熱膨脹性質，以便在實際操作中減少由于熱膨脹導致的變形和損壞。

采用新拓三維XTDIC-MICRO顯微應變測量系統，結合光學冷熱臺，在高低溫環境下對單晶硅進行熱膨脹CTE測試，DIC軟件分析輸出X、Y方向不同位置的CTE，分析單位溫度改變下長度的增加量與原長度的比值，為分析單晶硅熱膨脹系數提供可靠的數據。